HNZDL系列可編程直流穩壓大電流電源老化測試電源 線性直流恒流源

一、產品特點 

1、采用超大真彩大液晶觸摸屏人機界面，方便直接編程操作。直流開關試驗裝置見其他詳細介紹

2、本機一次可執行不同電壓、電流、延遲時間、運行時間的設定，并可連續循環999999次。

3、輸出電壓可以從零伏起調；輸出電流可以從零預置;

4、具有10組記憶組,可以將以前使用過的參數存儲,以便下次使用時輕松調用。

5、 具有RS232、RS485通訊接口。“通過使用FLIR的TrafiOne檢測器，城市的交通通行能力得到非常大的提升，市民對交通擁堵的投訴數量明顯減少。"3.全天候運行FLIRTrafiOne熱成像傳感器可以根據行人和自行車騎行者的溫度特征進行檢測。這些檢測器不需要任何補光措施就可以正常運行，而且不懼陽光直射。無論光線情況如何，所有熱成像行人檢測器可以24小時不間斷地正常檢測行人和騎行者。英國交通部的一項研究表明：在路側安裝了行人檢測設備的信號控制路口，32%的行人過街需求被取消掉了。

6、恒定電壓、恒定電流之使用, 可自動交叉變換，維持控制與保護兼顧

7、高頻PWM硬件調整控制技術，反應速度快，輸出穩定  

7、具有輸出穩壓、限流、短路保護和功率器件過熱保護功能； 優良的輸出穩定性能：源電壓效應＜0.5%，負載效應＜1%；

8、輸出直流電壓畸變系數低，干擾小； 在短路和過載故障時，可調節限流電位器來限制輸出電流值，從額定值的50%至105%之間變化；互感器過熱的情況通常表現為，電流互感器一次側導電回路不良引起的局部發熱;整體介質損耗上升引起的溫度整體上升;電流互感器套管缺油引起的溫度分布異常。互感器過熱的情況通常表現為，電流互感器一次側導電回路不良引起的局部發熱;整體介質損耗上升引起的溫度整體上升;電流互感器套管缺油引起的溫度分布異常。電壓互感器存在局部缺陷、受潮或老化，使介質損耗增加或局部放電;由鐵芯損耗引起，隨著電壓等級的升高，絕緣的介質損耗嚴重。

9、適用于阻性、感性等負載；負載適應性強；

二、主要用途及適用范圍 

1、電解電容器老練，鉭電容器賦能

2、電阻器、繼電器，馬達等電子元件老練，例行試驗

3、實驗室，電子設備、自動測試設備

4、電子檢驗設備、生產線設備、通訊設備

PID修復裝置與逆變器直流輸入并聯，在光伏組件的負級和地之間施加一個高電壓，并且支持輸出固定電壓和輸出智能調節的電壓。在夜間，它能把光伏組件在白天因為負極與地之間的負偏壓所積累下來的電荷釋放掉，持續運轉，PID－BOX將會修復那些因為PID效應導致效率衰減的電池組件。PID修復裝置（PID－BOX）接線示意圖其實光伏組件漏電流的大小影響著衰減現象，監控組件實時漏電流的大小，能夠有效反映出組件衰減程度并以此做調節。交流輸入 15KW以下（單相110V±10%、220V±10%、或者三相380V±15%）

15KW以上（三相380V±15%）

頻率：50HZ、60HZ、400HZ任選

直流輸出 電壓（穩壓值CC）：0- 6000V連續可調  

電流（恒流值CV）：0- 100000A連續可調   

源電壓效應 ≤0.2%有效值 也許大家早就對它很熟悉，但是它的用途到底是什么呢?為什么所有的電器中都必須有它？本文將為您解答。“電阻的英文名稱為resistance，通常縮寫為R，它是導體的一種基本性質，與導體的尺寸、材料、溫度有關“。這是課本上通常給電阻下的定義，那它到底有什么用？我們直接進入正題。電阻的個用途：采集非電量參量我們知道，電阻值與溫度之間存在一定的關系。看下式：在這里，電阻值R與溫度T之間存在函數關系。于是，我們就可以用電阻來采集溫度。

負載效應 穩壓精度：≤0.5%有效值（阻性負載）

恒流精度：≤0.5%有效值（阻性負載）

輸出紋波 穩壓狀態（CC）：≤0.3%+10mV（rms）（有效值）

穩流狀態（CV）：≤0.5%+10mA（rms）（有效值）

輸出顯示 4位半數字表     精度 ：±1% +1個字

顯示格式  00.00V-19.99V；000.0V-199.9V；0000V-1999V；

電壓電流設定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏（可選）

過壓保護 內置O.V.P保護，保護值為額定值+5%，保護后關閉輸出，重新開機解鎖

過流保護 過載、短路、定電流輸出LED日光燈電源發熱到一定程度會導致燒壞，關于這個問題，也見到過有人在行業論壇發過貼討論過。本文將從芯片發熱、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。芯片發熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。老化測試電源 線性直流恒流源GB/T12325-2008《V錐流量計》中規定：電能質量分析儀的35kV及以上供電電壓正、負偏差值之和不超過標稱電壓的10%；20kV及以下三相供電電壓允許偏差為標稱電壓的土7%；220V單相供電電壓允許偏差為標稱電壓的+7%，－10%。三相電壓不平衡GB/T15543-2008《電能質量三相電壓不平衡》中規定：電力系統公共連接點電壓不平衡度限值為：電網正常運行時，負序電壓不平衡度不超過2%，短時不得超過4%；低壓系統零序電壓限值暫不做規定，但各相電壓必須滿足GB/T12325的要求。