1、HNDL系列大電流發(fā)生器溫升測(cè)試儀
    

大電流試驗(yàn)設(shè)備按照使用一般分為以下幾種：

1、單相大電流發(fā)生器

2、三相大電流發(fā)生器

3、智能型全自動(dòng)大電流發(fā)生器

4、溫升大電流發(fā)生器  溫升試驗(yàn)設(shè)備  JP柜溫升試驗(yàn)裝置

5、直流大電流發(fā)生器

6、熔斷器大電流試驗(yàn)裝置
 PCI總線不僅可以應(yīng)用到低檔至的臺(tái)式系統(tǒng)上，而且也可應(yīng)用在便攜式機(jī)及至服務(wù)器的范圍中。在一個(gè)PCI系統(tǒng)中，可做到高速外部設(shè)備和低速外部設(shè)備共享，PCI總線與ISA／EISA總線并存，其系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如所示［1］。PCI總線信號(hào)與命令在一個(gè)PCI應(yīng)用系統(tǒng)中，取得了總線控制權(quán)的設(shè)備稱(chēng)為“主設(shè)備"，而被主設(shè)備選中以進(jìn)行通信的設(shè)備稱(chēng)為“從設(shè)備"或“目標(biāo)設(shè)備"。相應(yīng)的接口信號(hào)線，通常分為*的和可選的2大類(lèi)。

1）基本型 可采用串并聯(lián)，主要于電力系統(tǒng)的一次母線保護(hù)和電流互感器變比等試驗(yàn)，也可以對(duì)電流繼電器及開(kāi)關(guān)行程時(shí)間、過(guò)流速斷、傳動(dòng)等試驗(yàn)進(jìn)行整定。

2）集成型 集電流，時(shí)間，變比，極性于一體 為供電局，電廠現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。

3）瞬沖型  無(wú)需預(yù)調(diào)。（熔斷器測(cè)試儀）電流直接輸出額定值。對(duì)負(fù)載自適應(yīng)。用于熔斷器測(cè)試。

4）溫升型  用于開(kāi)關(guān)柜，母線槽等電器的溫升試驗(yàn) 目前，新能源的研究領(lǐng)域中，超級(jí)電容作為業(yè)界關(guān)注的新型儲(chǔ)能器件，具備了可快速充放電的優(yōu)點(diǎn)，又有電池的儲(chǔ)能機(jī)理。超級(jí)電容測(cè)試及其應(yīng)用是業(yè)內(nèi)人士比較關(guān)注的話題。在這些應(yīng)用中，超級(jí)電容器為系統(tǒng)單提供所需的峰值功率電源或與電池一起在連續(xù)工作時(shí)提供穩(wěn)流低功率電源，而在峰值負(fù)載時(shí)提供一個(gè)高功率脈沖。在這里，超級(jí)電容器減弱了用電器對(duì)電池提供峰值功率的要求，這樣就可以大大延長(zhǎng)電池的壽命，并減小了電池的整體尺寸。

功能特點(diǎn)：

1 采用進(jìn)口0.23鐵芯，電效率高鐵心無(wú)氣隙，疊裝系數(shù)可高達(dá)95％以上，鐵心磁導(dǎo)率可取1.5～1.8T（疊片式鐵心只能取1.2～1.4T），電效率高達(dá)95％以上，空載電流只有疊片式的10％。

2  采用環(huán)形設(shè)計(jì)。體積小重量輕，環(huán)形變壓器比疊片式變壓器重量可以減輕一半.

　3 磁干擾較小環(huán)形變壓器鐵心沒(méi)有氣隙，繞組均勻地繞在環(huán)形的鐵心上，這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了漏磁小，電磁輻射也小，無(wú)需另加屏蔽都可以用到高靈敏度高準(zhǔn)度的電子設(shè)備上采用  EMI測(cè)試技術(shù)目前診斷差模共模干擾的三種方法：射頻電流探頭、差模網(wǎng)絡(luò)、噪聲分離網(wǎng)絡(luò)。用射頻電流探頭是測(cè)量差模共模干擾簡(jiǎn)單的方法，但測(cè)量結(jié)果與標(biāo)準(zhǔn)限值比較要經(jīng)過(guò)較復(fù)雜的換算。差模網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，測(cè)量結(jié)果可直接與標(biāo)準(zhǔn)限值比較，但只能測(cè)量共模干擾。噪聲分離網(wǎng)絡(luò)是的方法，但其關(guān)鍵部件變壓器的制造要求很高。目前干擾的幾種措施形成電磁干擾的三要素是干擾源、傳播途徑和受擾設(shè)備。因而，電磁干擾也應(yīng)該從這三方面著手。

4  采用0.2級(jí)數(shù)字式真有效值電流表顯示，準(zhǔn)度高。而且無(wú)需外附標(biāo)準(zhǔn)CT及其他附件，簡(jiǎn)潔直觀。  

5 采用0.2S級(jí)高準(zhǔn)度電流互感器，保證電流信號(hào)的線性度和高準(zhǔn)度輸出.

6 內(nèi)置高準(zhǔn)度毫秒計(jì)。滿足時(shí)間高準(zhǔn)度測(cè)試的需要。           

著色為紅用于警告消防員當(dāng)前的危險(xiǎn)。在這種情況下，F(xiàn)LIRK系列紅外熱像儀在顯示屏上顯示“+65°C"，同時(shí)保持均衡的低靈敏度模式，不犧牲圖像細(xì)節(jié)顯示。FLIRK系列紅外熱像儀的設(shè)計(jì)旨在經(jīng)受惡劣的消防條件，能耐受從2米高處跌落到混凝土地面上，防水等級(jí)達(dá)IP67，同時(shí)能在高達(dá)+26°C條件下滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)5分鐘。值得一提的是，F(xiàn)LIRK65*符合美國(guó)防火協(xié)會(huì)（NFPA）針對(duì)熱像儀的181-218標(biāo)準(zhǔn)。技術(shù)參數(shù)：                        

輸入電源：AC 220V /380V  50HZ             

電流輸出：0－ 1000A        準(zhǔn)度：0.5或0.2  分辨率：0.01A

電流輸出：1000－ 5000A     準(zhǔn)度：0.5或0.2  分辨率：0.1A

電流輸出：5000－ 10000A    準(zhǔn)度：0.5 或0.2 分辨率：1A

電流輸出：10000－50000A    準(zhǔn)度：0.5 或0.2 分辨率：1A

輸出端開(kāi)口電壓：≥6V

時(shí)間測(cè)試：0.001S－9999.999S  分辨率：0.001S

溫升測(cè)試儀儀商解析：無(wú)線通信的世界，干擾是不受歡迎的東西，干擾永遠(yuǎn)是無(wú)線通信領(lǐng)域中的不速之客。它導(dǎo)致噪聲、通話中斷、通信受到干擾。雖然越來(lái)越多的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)置了干擾檢測(cè)功能，但通常效果不大。為解決干擾這個(gè)棘手問(wèn)題，有效的方案是使用頻譜分析儀，用以測(cè)量和識(shí)別干擾源。識(shí)別和檢測(cè)微弱的干擾信號(hào)。不管干擾信號(hào)多么難以捉摸，實(shí)時(shí)頻譜分析儀都能勝任。搜尋干擾頻率在搜尋干擾時(shí)，個(gè)挑戰(zhàn)是確定是否可以測(cè)量干擾信號(hào)。一般來(lái)說(shuō)，受擾接收機(jī)很容易確定，這也是個(gè)要查看的地方。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。